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标题: 三相全桥晶体管如何选型？ [打印本页]

作者: ade 时间: 2021-5-20 16:53
标题: 三相全桥晶体管如何选型？
本帖最后由 ade 于 2021-5-20 17:00 编辑

IGBT选型主要需要考虑：

1. 耐压Vces

2. 电流Ic

3. 耗散功率Pd

4. 输入结电容Ciss

MOS选型主要需要考虑：

1. 耐压Vds

2. 电流Id

3. 雪崩能量Eas

4. 耗散功率Pd

5. MOS内阻Rds

6. 输入结电容Ciss

优先级排序：耐压耐流> MOS内阻=耗散功率=雪崩能量>输入结电容

IGBT和MOS需要注意：

1. 电压和电流参数的选择，需要在实际工作电压值和工作电流值上预留40%左右余量。

2. 运行功率越大需要的耗散功率越大，且必须做好散热。参考：IRF100B202（Pd=221W @Tc = 25°C） KGF50N60KDA（Pd=277W @Tc = 25°C）

3. 输入结电容不能过大，过大会导致开关损耗增大。由于目前我们使用的晶体管功率较大，所以输入结电容也较大。参考：IRF100B202（Ciss=4476pF） KGF50N60KDA（Ciss=5200pF）

MOS需要注意：

1. 雪崩能量值需要尽量大。参考：IRF100B202（Eas=217mJ）

2. MOS内阻尽量小。参考：IRF100B202（Rds=7.2mΩ）

作者: James_Jiang 时间: 2021-5-20 17:31
牛！

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