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三相全桥晶体管如何选型?

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发表于 2021-5-20 16:53:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 ade 于 2021-5-20 17:00 编辑

IGBT选型主要需要考虑:
1.  耐压Vces
2.  电流Ic
3.  耗散功率Pd
4.  输入结电容Ciss


MOS选型主要需要考虑:
1.  耐压Vds
2.  电流Id
3.  雪崩能量Eas
4.  耗散功率Pd
5.  MOS内阻Rds
6.  输入结电容Ciss

优先级排序:耐压耐流> MOS内阻=耗散功率=雪崩能量>输入结电容

IGBT和MOS需要注意:
1. 电压和电流参数的选择,需要在实际工作电压值和工作电流值上预留40%左右余量。
2. 运行功率越大需要的耗散功率越大,且必须做好散热。参考:IRF100B202(Pd=221W @Tc = 25°C)  KGF50N60KDA(Pd=277W @Tc = 25°C)
3. 输入结电容不能过大,过大会导致开关损耗增大。由于目前我们使用的晶体管功率较大,所以输入结电容也较大。参考:IRF100B202(Ciss=4476pF)  KGF50N60KDA(Ciss=5200pF)


MOS需要注意:
1. 雪崩能量值需要尽量大。参考:IRF100B202(Eas=217mJ)
2. MOS内阻尽量小。参考:IRF100B202(Rds=7.2mΩ)
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发表于 2021-5-20 17:31:16 | 显示全部楼层
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